研究者詳細

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工学部　物質材料工学専攻　材料設計工学講座

経歴

• 本務， 長岡技術科学大学， 准教授， 2007年04月01日 ～ 継続中

• 本務， 長岡技術科学大学， 助教授， 1994年04月01日 ～ 2007年03月31日

• 本務， 長岡技術科学大学， 助手， 1989年01月01日 ～ 1994年03月31日

• 分子科学研究所， 日本学術振興会特別研究員， 1988年04月01日 ～ 1988年12月31日

研究分野

• 薄膜・表面界面物性

• プラズマ科学

• 物理化学

学会

• ニューダイヤモンドフォーラム

論文

• Quantitative NEXAFS and solid-stateNMR studies of sp3/(sp2+sp3) ratio in the hydrogenated DLC films， Diamond and Related Materials， 73巻， 1号， 232頁 ～ 240頁， 2017年03月20日， X.-L. Zhou, S. Tunmee, T. Suzukc, P. Phothongkam, K. Kanda, K. Komatsu,S. Kawahara, H. Ito, H. Saitoh

• Investigation of Pitting Corrosion of　Diamond-like Carbon Films Using Synchrotron-based Spectromicroscopy， Journal of Applied Physics， 120巻， 195303号， 1頁 ～ 10頁， 2016年11月26日， S. Tunmee, P. Photongkam, C. Euaruksakul, H. Takamatsu, X. L. Zhou, P. Wongpanya, K. Komatsu, K. Kanda, H. Ito, and H. Saitoh

• Fabrication of Hydrogenated Amorphous Silicon Carbide Films from Decomposition of Hexamethyldisilane with Microwave Discharge Flow of Ar， japanese Journal of Applied Physics， 55巻， 06HC01号， 1頁 ～ 9頁， 2016年05月20日， H. Ito, M. Kumakura, T. Suzuki, M. Niibe, K. Kanda, and H. Saitoh

• Changes of chemical structure of hydrogenated amorphous silicon， Diamond and Related Materials， 66巻， 1号， 1頁 ～ 9頁， 2016年03月18日， Haruhiko Ito, Takeshi Ogaki, Motoki Kumakura, Shunsuke Saeki, Tsuneo Suzuki, Hiroki Akasaka, Hidetoshi Saitoh

• Contribution of CN(X2Sigma+) Radicals to N Atoms of Hydrogenated Amorphous Carbon Nitride Films Formed from the Microwave Discharge of the Gas Mixture of N2 and CH3CN， Diamond and Related Materials， 63巻， 3月号， 125頁 ～ 131頁， 2016年03月01日， Haruhiko Ito, Nobuyoshi Mogi, Kohtaro Okada, and Hiroki Tsudome

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その他の報告書等

• 単著， Optimization of the Electric-Field Emission Type Microplasma Device Based on the Spectroscopic Measurement of Hydrogen-Containing Free Radicals， Optimization of the Electric-Field Emission Type Microplasma Device Based on the Spectroscopic Measurement of Hydrogen-Containing Free Radicals， Scientific Research on Priority Area, "Generation of Micro-Scale Reactive Plasmas and Development of Their New Applications", Summary Report， Graduate School of Engineerring, Kyoto University， 39頁 ～ 42頁， 2008年03月

• 単著， 18th International Symposium on Plasma Chemistry, Full-paper CD， Mechanism of Dissociative Excitation of BrCN in Electron Cyclotron Resonance ， 18th International Symposium on Plasma Chemistry, Full-paper CD,30Ｐ-17， ISPC-18 Office， 1頁 ～ 4頁， 2007年08月

雑誌の総説・解説

• 単著， 日本語， アモルファス炭素系材料合成のためのプラズマ分子分光計測　， 未設定， 伊藤治彦， New Diamond， ニューダイヤモンドフォーラム， 92巻， 1号， 44頁 ～ 50頁， 2009年01月

• 単著， 日本語， アモルファス炭素系材料合成のためのプラズマ分子分光計測　， 未設定， 伊藤治彦， New Diamond， ニューダイヤモンドフォーラム， 91巻， 1号， 48頁 ～ 54頁， 2008年10月

• 単著， 日本語， アモルファス炭素系材料合成のためのプラズマ分子分光計測　， 未設定， 伊藤治彦， New Diamond， ニューダイヤモンドフォーラム， 90巻， 1号， 45頁 ～ 51頁， 2008年07月

• 単著， 日本語， アモルファス炭素系材料合成のためのプラズマ分子分光計測　， 未設定， 伊藤治彦， New Diamond， ニューダイヤモンドフォーラム， 89巻， 1号， 45頁 ～ 49頁， 2008年04月

• 単著， 日本語， アモルファス炭素系材料合成のためのプラズマ分子分光計測　， 未設定， NEW DIAMOND， オーム社， 24巻， 1号， 36頁 ～ 38頁， 2008年01月

会議での講演

• Synthesis and Structural Analysis of Hydrogenated Amorphous Carbon Nitrides with High [N]/([N]+[C]) Ratios， IUMRS-ICAM2017， 2017年08月31日

• CN(X2-sigma+) Radicals as the Precursor of Hydrogenated Amorphous Carbon Nitride Films， IPS2016， 2016年06月29日

• Si(CH3)4の放電分解によるa-SiCx:H薄膜の形成 ― 表面O原子と膜厚に関する考察， 2017年 第64回応用物理学会春季学術講演会， 2016年03月16日

• Fabrication of Hydrogenated Amorphous Silicon Carbide Films from Decomposition of Hexamethyldisilane with Microwave Discharge Flow of Ar， Dry Process Symposium 2015， 2015年11月06日

• Precursor of N atoms of Hydrogeneated Amorphous Carbon Nitride Films Formed from the Microwave Discharge of C2H2/N2 Gas Mixture， ISPlamsa 2015， 2015年03月30日

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知的財産権

• プラズマCVD法を用いた硬質アモルファスSiC薄膜の形成， 特願２００８－２１７７７０

2018/01/22 更新

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